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반도체 재료5

전자부품용 패키지 재료 (정의, 종류 등) 안녕하세요 율짓입니다. 오늘부터는 반도체 패키지에 사용되는 재료들에 대해 알아볼 예정입니다. 이번 포스팅은 패키지 재료의 서론입니다. 패키지란 반도체칩, 저항, 콘덴서로 이루어진 전자 하드웨어 시스템에 관련된 기술의 총칭으로 반도체 집을 외부환경으로부터 물리적, 화학적, 기계적으로 보호, 외부의 신호나 전력을 효과적으로 전달하는 신호&전력분배, 반도체 칩으로부터 발생하는 열을 외부로 발산하는 열방출 등의 역할을 하게 됩니다. 반도체 패키지의 종류로는 Lead frame, Solder, Wire bonding, BGA 등이 있습니다. 대표적인 몇 가지만 우선 보자면, - Lead frame 반도체 칩을 고정시키고 칩의 내부와 외부의 회로를 연결하는 도전성 금속재료입니다. - Solder 반도체 패키지 시 .. 2023. 6. 21.
반도체 박막의 증착 과정 (흡착, 확산 과정) 안녕하세요 오늘은 박막의 증착 과정에 대해 좀 더 자세히 포스팅할 예정입니다. 1. 박막의 증착 과정 - 박막 생성물질이 기판 위에 도달 - 흡착단계 - 표면확산단계 - 핵생성 - 핵성장 및 박막 구조물 형성 2. 흡착, 확산 정의 - 흡착(Adsorption) 물리적, 화학적으로 고체표면에 기체, 액체성분이 바인딩되는 현상 - 확산(Diffusion) 고체, 액체, 기체 원소가 고체내부의 원소사이로 침투하는 현상 3. 흡착(Adsorption) 타깃에서 방출(PVD), 원료기체에서 분해(CVD)된 박막 구성물질이나 원자가 기판 위에 흡착 - 물리적 흡착 원자나 분자가 기판표면에 반데르발스 힘에 의해서 결합된 상태 원자나 분자들이 기판표면에 약하게 결합되어 있음 (물리 흡착에너지 결합력은 약함) 물리적으.. 2023. 6. 14.
반도체 금속배선 제조공정 (2) 화학기상증착(CVD) (종류, 방법, 장단점 등) 안녕하세요 율짓입니다. 오늘은 화학기상증착(CVD)을 이어서 설명드리도록 하겠습니다. * 박막 증착 1. 물리기상증착(PVD) 증착하고자 하는 재료를 진공 중에서 기화시켜 기판 표면에 증착시키는 방법 반도체 금속배선 제조공정 (1) 물리기상증착(PVD) (종류, 방법, 장단점 등) 안녕하세요 율짓입니다. 오늘은 반도체 금속배선 제조공정 중 하나인 물리기상증착(PVD)를 설명드릴 예정입니다. * 박막 증착 1. 물리기상증착(PVD) 증착하고자 하는 재료를 진공 중에서 기화시켜 yuljis.tistory.com 2. 화학기상증착(CVD) 증착하고자 하는 기체를 기판 표면 근처에서 가열하여 기판과 반응, 분해, 석출 시키는 방법 2. 화학기상증착(CVD) 2-1. 화학기상증착(CVD) 방법 화학기상증착(CVD.. 2023. 6. 13.
반도체 금속배선 제조공정 (1) 물리기상증착(PVD) (종류, 방법, 장단점 등) 안녕하세요 율짓입니다. 오늘은 반도체 금속배선 제조공정 중 하나인 물리기상증착(PVD)를 설명드릴 예정입니다. * 박막 증착 1. 물리기상증착(PVD) 증착하고자 하는 재료를 진공 중에서 기화시켜 기판 표면에 증착시키는 방법 2. 화학기상증착(CVD) 증착하고자 하는 기체를 기판 표면 근처에서 가열하여 기판과 반응, 분해, 석출 시키는 방법 반도체 금속배선 제조공정 (2) 화학기상증착(CVD) (종류, 방법, 장단점 등) 안녕하세요 율짓입니다. 오늘은 화학기상증착(CVD)을 이어서 설명드리도록 하겠습니다. * 박막 증착 1. 물리기상증착(PVD) 증착하고자 하는 재료를 진공 중에서 기화시켜 기판 표면에 증착시키는 yuljis.tistory.com 1. 물리기상증착(PVD) 1-1. 물리기상증착(PVD) .. 2023. 3. 23.
반도체용 금속배선 기술 (신호지연 문제 등) 안녕하세요 율짓입니다. 반도체를 기본부터 순서대로 포스팅해 볼까 고민했었는데, 우선은 각각 주제별로 하나씩 진행해 볼 생각입니다. 그럼 오늘은 반도체용 금속배선 기술에 대해서 알아보도록 하겠습니다. 반도체용 금속 배선의 성능에 큰 관련이 있는 문제는 아래와 같습니다. 1. 신호지연 문제 2. 전기적 문제 3. 혼선 문제 4. 반도체-금속의 접촉 문제 1. 신호지연 문제 금속배선뿐만 아니라 소자자체의 저항요소와 콘덴서요소에 의해 발생하는 문제로 소자가 고집적화가 됨에 따라 금속배선의 증가로 신호지연 문제가 더 발생하게 됩니다. 반도체 내의 신호지연은 아래와 같습니다. 1-1. MOSFET(단일소자) 내의 신호지연: 소자의 각 요소사이에 존자하는 기생용량이라고 하는 콘덴서 요소의 의해 발생 1-2. 연산장치.. 2023. 3. 14.
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